层间电介质的近界面平坦化回刻方法专利登记公告

专利名称：层间电介质的近界面平坦化回刻方法

摘要：本发明公开了一种层间电介质层(ILD)的近界面平坦化回刻方法，包括：在晶圆表面通过化学气相沉积或者氧化方法沉积或生长一层厚的SiO2；旋涂一层SOG，然后热处理获得较为均匀的叠层结构；利用等离子体刻蚀进行SOG回刻，接近SiO2近界面时停止；等离子回刻余下的近界面SOG/SiO2结构直到所需厚度。由于采用了近界面两步刻蚀，得到了极佳的ILD平整表面，不仅在晶片中心区而且乃至在边缘处也仍然能得到平坦整齐的ILD表面。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110003118.6

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：孟令款;殷华湘

主权项：一种方法，用于对在半导体结构上的电介质构成的叠层结构进行平坦化，包括：对所述叠层结构进行热处理，使其回流；进行第一刻蚀，直至接近所述叠层结构的层间界面处；进行第二刻蚀，直至露出所述半导体结构的顶部。

专利地区：北京