一种65/55nm产品第二侧墙刻蚀工艺专利登记公告

专利名称：一种65/55nm产品第二侧墙刻蚀工艺

摘要：本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种65/55nm产品第二侧墙刻蚀工艺。本发明一种65/55nm产品第二侧墙刻蚀工艺，通过采用试验设计对影响第二层侧墙宽度及残留膜厚度的因素进行试验，得出关键因素为机台功率，然后根据试验数据在后续第二层侧墙的刻蚀工艺中调整刻蚀机台的机台功率，降低侧墙刻蚀后变异，进而可以提高产品的电特性参数的稳定度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110349888.6

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：张瑜;李程;李全波;杨渝书

主权项：一种65/55nm产品第二侧墙刻蚀工艺，采用65/55nm工艺，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：通过试验设计在第二层侧墙的刻蚀工艺流程中，采集、分析数据得出影响第二层侧墙宽度及残留膜厚度的关键因素；步骤S2：根据该关键因素调整对刻蚀机台进行调整，以使后续第二层侧墙的刻蚀工艺得到具有符合工艺需求的第二层侧墙宽度及残留膜厚度的工艺产品。

专利地区：上海