光刻胶去除方法、金属线刻蚀方法以及集成电路制造方法专利登记公告

专利名称：光刻胶去除方法、金属线刻蚀方法以及集成电路制造方法

摘要：本发明提供了一种光刻胶去除方法、金属线刻蚀方法以及集成电路制造方法。根据本发明的光刻胶去除方法包括：将带有光刻胶的硅片从刻蚀腔室转移至去胶腔室；此后，在不点火的情况下在去胶腔室中通入氧气；随后，点火开始去胶过程。通过采用根据本发明的光刻胶去除方法，在点火之前通入氧气，使硅片和光刻胶的上升到一定的温度以实现足够的蚀刻速率，并且使得作为助燃气体的氧气可以和作为燃烧物的光刻胶充分接触，从而在点火开始以后的去胶过程由于硅片已经升温并且氧气和光刻胶充分混合而使得光刻胶的燃烧充分完成，由此有效地避免了光刻胶残留的产生

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061098.2

专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司

专利发明（设计）人：彭精卫;王敬平

主权项：一种光刻胶去除方法，其特征在于包括：将带有光刻胶的硅片从刻蚀腔室转移至去胶腔室；此后，在不点火的情况下在去胶腔室中通入氧气；随后，点火开始去胶过程。

专利地区：上海