一种高掺杂磷硅玻璃薄膜的制备方法专利登记公告

专利名称：一种高掺杂磷硅玻璃薄膜的制备方法

摘要：本发明公开了一种高掺杂磷硅玻璃薄膜的制备方法，包括步骤：在硅衬底上形成栅氧化层、多晶硅栅极和侧墙；漏源注入及快速热退火；淀积SACVD?PSG薄膜；淀积HDP?PSG薄膜；刻蚀接触孔。该方法可以避免衬底硅因接触孔过刻蚀而受到损伤，且用该方法制备的PSG薄膜具有优良的填孔性能和易于刻蚀的膜质结构。在制备时，先用SACVD淀积工艺生长一层PSG薄膜，然后再用HDP?CVD淀积工艺生长高掺杂PSG薄膜，利用SACVD?PSG薄膜磷掺杂量均一的特点，提高HDP?PSG薄膜花状外壳底部起始点的位置，增大接触孔选择性

专利类型：发明专利

专利号：CN201110008499.7

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：缪燕;彭仕敏

主权项：一种高掺杂磷硅玻璃薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)利用现有工艺在硅衬底上形成栅氧化层、多晶硅栅极和侧墙；(2)做漏源注入及快速热退火，形成源、漏极；(3)采用亚常压化学气相淀积工艺，淀积一层磷硅玻璃薄膜；(4)采用高密度等离子体化学气相淀积工艺，再淀积一层磷硅玻璃薄膜；(5)采用自对准刻蚀工艺刻蚀出接触孔。

专利地区：上海