提高后栅工程金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法专利登记公告

专利名称：提高后栅工程金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法

摘要：一种提高后栅工程金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法，在进行用于形成金属插塞的化学机械平坦化工艺之前，采用一步金属刻蚀工艺，使得通孔区与非通孔区的金属层的高度落差大幅减小，因此，较小的高度落差对后续的化学机械平坦化工艺过程的影响也会大大减轻，从而在研磨过程中，高度落差不会传递至随后形成的金属插塞上，极大地减小金属插塞顶部的凹陷，得到了平坦的金属插塞顶部，从而提高器件电学性能和成品率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110005058.1

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：杨涛;赵超;李俊峰

主权项：一种提高后栅工程金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法，包括：提供一衬底，位于所述衬底上的金属栅极，以及位于相邻的所述金属栅极之间的通孔区；沉积金属层于所述衬底上，所述金属层至少能够完全填充所述通孔区，所述通孔区的所述金属层的上表面与所述通孔区以外的所述金属层的最高处之间存在高度差，所述高度差的绝对值记为H；采用一化学机械平坦化工艺，对所述金属层进行平坦化处理，去除所述通孔区以外的所述金属层，使所述金属层仅位于所述通孔区中，从而形成具有平坦顶部的金属插塞；其特征在于，在所述化学机械平坦化工艺之前，进行如下

专利地区：北京