选择性蚀刻和二氟化氙的形成专利登记公告

专利名称：选择性蚀刻和二氟化氙的形成

摘要：本发明涉及选择性蚀刻和形成二氟化氙。尤其涉及用于从二氧化硅、氮化硅、镍、铝、TiNi合金、光致抗蚀剂、磷硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、聚酰亚胺、金、铜、铂、铬、氧化铝、碳化硅和其混合物选择性除去下述材料的工艺，比如：硅、钼、钨、钛、锆、铪、钒、钽、铌、硼、磷、锗、砷和其混合物。该工艺与下列重要应用相关，即用于半导体沉积腔室和半导体工具、微电动机械系统(MEMS)中的器件、以及离子注入系统的清洁或蚀刻工艺。本发明也提供通过将Xe与含氟化学品反应而形成XeF2的方法，其中，所述含氟化学品选自F2、NF3、C2F

专利类型：发明专利

专利号：CN201210028545.4

专利申请（专利权）人：气体产品与化学公司

专利发明（设计）人：吴定军;E·J·小卡瓦基;A·马利卡朱南;A·D·约翰逊

主权项：在腔室中形成二氟化氙的工艺，包含：向所述腔室提供Xe气体；向所述腔室提供选自NF3、C2F6、CF4、C3F8、SF6、从上游等离子体发生器产生的含F原子的等离子体和它们的混合物的含氟化学品；和通过在所述腔室中使氙与所述含氟化学品反应而形成二氟化氙。

专利地区：美国