齐纳二极管的制造方法专利登记公告

专利名称：齐纳二极管的制造方法

摘要：本发明公开了一种齐纳二极管的制造方法，包括：提供具有外延层的衬底；刻蚀外延层和部分厚度的衬底形成环形的第一深槽；在外延层上形成绝缘层，同时形成第一深槽填充；刻蚀外延层和部分厚度的衬底，在第一深槽填充包围的区域内形成至少一个第二深槽；在图形化的绝缘层上形成原位掺杂多晶硅，同时形成第二深槽填充；对衬底进行退火工艺形成扩散区域，扩散区域和衬底构成齐纳二极管的PN结；刻蚀原位掺杂多晶硅层形成图形化的多晶硅，作为齐纳二极管的阴极；在衬底的背面形成金属层，作为齐纳二极管的阳极。本发明通过深槽工艺代替传统的高温扩散的方

专利类型：发明专利

专利号：CN201210046164.9

专利申请（专利权）人：上海先进半导体制造股份有限公司

专利发明（设计）人：梁博

主权项：一种齐纳二极管的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底包括正面以及与正面相对的背面，所述衬底的正面上形成有外延层；刻蚀所述外延层和部分厚度的衬底形成第一深槽，所述第一深槽为环形；在所述外延层上形成绝缘层，同时填充所述第一深槽形成第一深槽填充；刻蚀所述外延层和部分厚度的衬底，在所述第一深槽填充包围的区域内形成至少一个第二深槽；在所述图形化的绝缘层上形成原位掺杂多晶硅，同时填充所述第二深槽形成第二深槽填充；对所述衬底进行退火工艺形成扩散区域，所述扩散区域和衬底构成齐纳二极管的PN结；刻蚀所述原位掺杂多晶硅层形成图

专利地区：上海