一种基于核/壳结构硅纳米线组的肖特基二极管的制备方法专利登记公告

专利名称：一种基于核/壳结构硅纳米线组的肖特基二极管的制备方法

摘要：本发明公开了一种基于核/壳结构硅纳米线的肖特基二极管制备方法，该方法包括：硅片清洗、背电极制备、硅纳米线制备、硅纳米线间隙填充及沉积Pt薄膜等步骤；其硅纳米线为核/壳结构，硅为核、表面氧化层为壳，在应用时无需去除表面氧化层，所制备的肖特基二极管电流传输机制为缺陷辅助隧穿机制，具有优良的整流特性，在纳米器件领域和新能源领域具有广阔的应用前景。本发明具有制备方法简单，对环境、成本要求低，高重复性，适用于大规模工业生产。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210054702.9

专利申请（专利权）人：华东师范大学

专利发明（设计）人：王志亮;陈雪皎;朱美光;陈云;严强;张健

主权项：一种基于核/壳结构硅纳米线组的肖特基二极管制备方法，其特征在于该方法包括以下具体步骤：(1)标准RCA清洗步骤清洗硅片，氮气吹干备用；(2)通过真空蒸镀仪在硅片一面蒸镀Al，在氮气氛围450℃下热退火5?min，形成良好的欧姆接触Al背电极；(3)用光刻胶旋涂Al背电极面，烘干；(4)?25?mmol?L?1AgNO3与浓度为40%的氢氟酸混合，形成混合溶液，其25?mmol?L?1AgNO3和浓度为40%?氢氟酸的体积比为1:1，超声使混合溶液均匀分布；将经清洗的硅片放入混合溶液中，保证光刻胶保护硅面朝

专利地区：上海