半透半反式薄膜晶体管阵列基板及其制造方法专利登记公告

专利名称：半透半反式薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要：本发明公开了一种半透半反式薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，涉及液晶显示技术领域，为有效降低制造成本而发明。所述薄膜晶体管阵列基板，包括基板，所述基板上包括第一金属层和第二金属层，第一金属层内设有栅线，第二金属层内垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素单元，所述像素单元分为反射区和透射区，所述反射区和透射区包括透明的第一像素电极，所述反射区包括不透明的反射区第二像素电极；所述反射区第二像素电极间隔设置，所述反射区第二像素电极的上方区域为所述反射区，相邻的所述反射区第二像素电极之间的区域

专利类型：发明专利

专利号：CN201110003288.4

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司

专利发明（设计）人：孙荣阁;朱修剑;田广彦

主权项：一种半透半反式薄膜晶体管阵列基板，包括基板，所述基板上包括第一金属层和第二金属层，第一金属层和第二金属层之间设有第一绝缘层，第一金属层内设有栅线，第二金属层内垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素单元，所述像素单元内包括TFT、公共电极、所述像素单元分为反射区和透射区，其特征在于，包括：所述反射区和透射区包括透明的第一像素电极，所述反射区包括不透明的反射区第二像素电极；所述反射区第二像素电极间隔设置，所述反射区第二像素电极的上方区域为所述反射区，相邻的所述反射区第二像素电极之间的区域

专利地区：北京