半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其制造方法

摘要：一种半导体器件，具有：基板，包括主表面；栅极叠层，包括侧壁，位于基板上方；隔离件，位于基板上方，邻接栅极叠层的侧壁，其中，隔离件包括底面，底面具有外点，外点与栅极叠层的距离最远；隔离结构，位于基板中，栅极叠层的一侧，隔离结构的外边缘最靠近隔离件；以及应变材料，位于隔离件和隔离结构之间的基板的主表面下方，包括上部和下部，上部和下部通过过渡平面间隔开，过渡平面与基板的主表面之间的夹角为锐角。本发明还涉及一种半导体器件的制造方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110349219.9

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：郑有宏;李启弘;李资良

主权项：一种半导体器件，包括：基板，包括主表面；栅极叠层，包括侧壁，所述侧壁位于所述基板上方；隔离件，位于所述基板上方，邻接所述栅极叠层的所述侧壁，其中，所述隔离件包括底面，所述底面具有外点，所述外点与所述栅极叠层的距离最远；隔离结构，位于所述基板中，所述栅极叠层的一侧，所述隔离结构的外边缘最靠近所述隔离件；以及应变材料，位于所述隔离件和所述隔离结构之间的所述基板的所述主表面下方，所述应变材料包括上部和下部，所述上部和所述下部通过过渡平面间隔开，所述过渡平面与所述基板的所述主表面之间的夹角为锐角，其中，所述过渡平

专利地区：台湾