一种新型电场调控的互补场效应管及其逻辑电路专利登记公告

专利名称：一种新型电场调控的互补场效应管及其逻辑电路

摘要：本发明提供一种新型电场调制型场效应管及其衍生的互补型场效应管。所述新型场效应管的栅极和背栅施加一定电压时，源极和漏极之间的电阻状态在高低阻态之间变化；所述的互补型场效应管具有栅极、背栅、源极1和漏极1、源极2、漏极2，当栅极和背栅施加一定电压时，源极1和漏极1之间的电阻状态与源极2和漏极2之间的电阻状态变化相反，呈互补形式。利用上述的场效应管和互补型场效应管可以设计基本的逻辑电路，并包括由基本电路所组合形成的其它电路，以及现场可编程门阵列(FPGA)。利用线性电致电阻效应可以设计数控可调电阻。本发明提出的

专利类型：发明专利

专利号：CN201110304805.1

专利申请（专利权）人：中国科学院物理研究所

专利发明（设计）人：韩秀峰;郭鹏;陈怡然;刘东屏

主权项：一种新型的电场调制型互补场效应管，其特征在于，所述互补型场效应管的基本结构为导电层1、绝缘势垒层1、缓冲层1、功能层、缓冲层2、绝缘势垒层2、导电层2、缓冲层1和缓冲层2上的电极作为该互补型场效应管的栅极和背栅，用于进行电场的垂直或水平施加；导电层1上的两个电极作为源极1和漏极1，导电层2上的两个电极作为源极2和漏极2。

专利地区：北京