电容结构专利登记公告

专利名称：电容结构

摘要：本发明公开一种电容结构，其包括介电材料层以及至少两层金属层。金属层间隔设置于介电材料层中。各金属层包括绕行状电极、第一指状电极以及第二指状电极。绕行状电极形成多个第一凹部以及多个第二凹部。多个第一凹部位于绕行状电极的一侧，多个第二凹部位于绕行状电极的另一侧。第一指状电极包括多个第一延伸部，第一延伸部分别设置于第一凹部中。第二指状电极包括多个第二延伸部，第二延伸部分别设置于第二凹部中。其中，各金属层中的绕行状电极电连接相邻金属层中的第一指状电极及第二指状电极。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210069410.2

专利申请（专利权）人：威盛电子股份有限公司

专利发明（设计）人：陈建盛

主权项：一种电容结构，包括：介电材料层；以及至少两层金属层，间隔设置于该介电材料层中，且各该金属层包括：绕行状电极，形成多个第一凹部以及多个第二凹部，该些第一凹部位于该绕行状电极的一侧，该些第二凹部位于该绕行状电极的另一侧；第一指状电极，包括多个第一延伸部，该些第一延伸部分别设置于该些第一凹部中；以及第二指状电极，包括多个第二延伸部，该些第二延伸部分别设置于该些第二凹部中；其中，各该金属层中的该绕行状电极电连接相邻金属层中的该第一指状电极及该第二指状电极。

专利地区：台湾