一种复合功率半导体器件专利登记公告

专利名称：一种复合功率半导体器件

摘要：一种复合功率半导体器件，属于半导体器件技术领域。该器件将将LIGBT、LDMOS以及JFET集成在一起，其中LIGBT与LDMOS形成混合并联结构，LIGBT/LDMOS混合结构与JFET级联。LIGBT/LDMOS混合结构中，LIGBT和LDMOS共用栅极、LIGBT的n+阴极和LDMOS的n+源极共用、LIGBT的P+阳极和LDMOS的n+漏极交替相间分布；LIGBT/LDMOS混合结构的曲率部分为LDMOS结构；LDMOS和JFET共用n+漏极4，JFET的n+源极8做在N阱区6向所述LIGBT/L

专利类型：发明专利

专利号：CN201210045619.5

专利申请（专利权）人：电子科技大学

专利发明（设计）人：乔明;温恒娟;向凡;周锌;何逸涛;张波;李肇基

主权项：一种复合功率半导体器件，由LIGBT和LDMOS的混合结构与JFET级联而成；所述LIGBT包括p型衬底(1)、N阱区(6)、P?body区(12)、P阱区(13)、n+阴极(2)、P+阳极(5)、栅极(3)、介质层(14)、多晶场板(7)、阴极金属(15)和阳极金属(16)；N阱区(6)位于p型衬底(1)表面，P阱区(13)和P+阳极(5)位于N阱区(6)内部，其中P+阳极(5)表面与阳极金属(16)接触；P?body区(12)位于p型衬底(1)表面，且横向与N阱区(6)相接触；n+阴极(2)位于P?b

专利地区：四川