发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构专利登记公告

专利名称：发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构

摘要：一种发光二极管晶粒，包括基板、半导体发光结构、绝缘层及透明导电层，基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区，半导体发光结构为垂直电导通结构，半导体发光结构包括金属层及N型三族氮化物半导体层，金属层及N型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端，半导体发光结构的金属层固定于基板的第二导电区上，透明导电层连接基板的第一导电区与N型三族氮化物半导体层，绝缘层使得透明导电层与基板的第二导电区及半导体发光结构的除N型三族氮化物半导体层以外的其他部分绝缘。上述发光二极管晶粒的出光一侧不必设置遮光的厚金属电极及焊

专利类型：发明专利

专利号：CN201110003533.1

专利申请（专利权）人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司

专利发明（设计）人：黄世晟;凃博闵;林雅雯

主权项：一种发光二极管晶粒，包括基板、半导体发光结构、绝缘层及透明导电层，基板包括相互绝缘的第一导电区与第二导电区，半导体发光结构为垂直电导通结构，半导体发光结构包括金属层及N型三族氮化物半导体层，金属层及N型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端，半导体发光结构的金属层固定于基板的第二导电区上，其特征在于：透明导电层连接基板的第一导电区与N型三族氮化物半导体层，该绝缘层使得透明导电层与基板的第二导电区绝缘，并且该绝缘层使得透明导电层与半导体发光结构的除N型三族氮化物半导体层以外的其他部分绝缘。

专利地区：广东