具有通过粗化的改进的光提取的发光二极管(LED)专利登记公告

专利名称：具有通过粗化的改进的光提取的发光二极管(LED)

摘要：公开了用于通过在LED器件上形成n型掺杂氮化镓(n-GaN)层并且对所述n-GaN层的表面进行粗化以从所述LED器件的内部提取光来制造半导体发光二极管(LED)器件的系统和方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210002738.2

专利申请（专利权）人：旭瑞光电股份有限公司

专利发明（设计）人：朱振甫;郑好钧;樊峰旭;刘文煌;郑兆祯

主权项：一种发光二极管(LED)结构，该发光二极管结构包括：用于发射光的多层半导体结构，所述结构的表面具有多个突起，其中，所述突起的侧面与所述多层半导体结构的表面形成大于90°的角，并且其中所述结构的表面和所述突起被进行粗化或纹理化以获得增加的表面积。

专利地区：广东