锗悬臂梁式二维光子晶体微腔及制备方法专利登记公告

专利名称：锗悬臂梁式二维光子晶体微腔及制备方法

摘要：本发明提供一种锗悬臂梁式二维光子晶体微腔，包括：具有埋氧层、且表层为悬臂梁式锗材料层的半导体基底，其中，在锗材料层包含光子晶体微腔，所述光子晶体微腔由周期性排列的孔体所构成、但部分区域缺失孔体。此外，本发明还提供了该锗悬臂梁式二维光子晶体微腔的制备方法，即先在具有埋氧层、且表层为锗材料层的半导体基底的锗材料层中掺杂以形成n型重掺杂层，然后对锗材料层进行微机械加工形成光子晶体微腔，随后在部分区域进行光刻和刻蚀暴露出部分埋氧层，然后再进行湿法腐蚀，用以去除光子晶体微腔下的埋氧层，同时实现锗悬臂梁的释放。本发明

专利类型：发明专利

专利号：CN201110003997.2

专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司

专利发明（设计）人：武爱民;魏星;薛忠营;杨志峰;甘甫烷;张苗;王曦

主权项：一种锗悬臂梁式二维光子晶体微腔，其特征在于包括：具有埋氧层、且表层为悬臂梁式锗材料层的半导体基底，其中，所述锗材料层包含光子晶体微腔，所述光子晶体微腔由周期性排列的孔体所构成、但部分区域缺失孔体。

专利地区：上海