锗悬浮膜式二维光子晶体微腔及制备方法专利登记公告

专利名称：锗悬浮膜式二维光子晶体微腔及制备方法

摘要：本发明提供一种锗悬浮膜式二维光子晶体微腔，包括：具有埋氧层、且表层为锗悬浮膜层的半导体基底，其中，所述锗悬浮膜层包含光子晶体微腔，所述光子晶体微腔由周期性排列的孔体构成、但部分区域缺失孔体。此外，本发明还提供了该锗悬浮膜式二维光子晶体微腔的制备方法，即先在半导体基底的锗薄膜层中掺杂以形成n型重掺杂层，随后，对重掺杂层进行微机械加工以便在部分区域形成光子晶体微腔，最后，对整片器件进行湿法腐蚀，其中，可通过控制腐蚀时间以控制侧向腐蚀的程度，从而去除光子晶体微腔下的埋氧层实现悬浮膜。本发明的优点在于：能够通过调

专利类型：发明专利

专利号：CN201110004002.4

专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司

专利发明（设计）人：武爱民;魏星;薛忠营;杨志峰;甘甫烷;张苗;王曦

主权项：一种锗悬浮膜式二维光子晶体微腔，其特征在于包括：具有埋氧层、且表层为锗悬浮膜层的半导体基底，其中，所述锗悬浮膜层包含有光子晶体微腔，所述光子晶体微腔由周期性排列的孔体所构成、但部分区域缺失孔体。

专利地区：上海