发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构专利登记公告

专利名称：发光二极管晶粒及其制造方法、发光二极管封装结构

摘要：一种发光二极管晶粒，包括半导体发光结构，该半导体发光结构包括绝缘衬底、N型三族氮化物半导体层及P型三族氮化物半导体层，绝缘衬底及P型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端，该绝缘衬底包括相对设置的第一表面及第二表面，N型三族氮化物半导体层形成于绝缘衬底的第一表面，绝缘衬底的第二表面形成导电层，绝缘衬底内形成至少一导电柱，该至少一导电柱贯通半导体发光结构的绝缘衬底，该至少一导电柱连接N型三族氮化物半导体层与导电层。上述发光二极管晶粒的出光一侧不必设置遮光的厚金属电极及焊球，从而提高发光二极管晶粒的出

专利类型：发明专利

专利号：CN201110005426.2

专利申请（专利权）人：展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司

专利发明（设计）人：凃博闵;黄世晟;林雅雯

主权项：一种发光二极管晶粒，包括半导体发光结构，该半导体发光结构包括绝缘衬底、N型三族氮化物半导体层及P型三族氮化物半导体层，绝缘衬底及P型三族氮化物半导体层分别位于半导体发光结构的两端，该绝缘衬底包括相对设置的第一表面及第二表面，N型三族氮化物半导体层形成于绝缘衬底的第一表面，其特征在于：绝缘衬底的第二表面形成导电层，绝缘衬底内形成至少一导电柱，该至少一导电柱贯通半导体发光结构的绝缘衬底，该至少一导电柱连接N型三族氮化物半导体层与导电层。

专利地区：广东