侧面粗化的发光二极管及其制作方法专利登记公告

专利名称：侧面粗化的发光二极管及其制作方法

摘要：一种侧面粗化的发光二极管，包括：一衬底，该衬底的侧面经粗化处理；一成核层，其制作在侧面粗化的衬底上；一N型掺杂层，其制作在成核层上，该N型掺杂层有一台面；一多量子阱发光层，其制作在N型掺杂层台面的另一侧上，该多量子阱发光层为10个周期交替生长的氮化镓/铟镓氮；一P型掺杂层，其制作在多量子阱发光层上；一ITO层，其制作在P型掺杂层上；一P型金属电极，其制作在ITO层上；一N型金属电极，其制作在掺杂层的台面上。本发明可以提高出光效率，使得发光二极管外量子效率提升，特别适合大尺寸功率型晶粒的制作。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210052920.9

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：谢海忠;张逸韵;王兵;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽

主权项：一种侧面粗化的发光二极管，包括：一衬底，该衬底的侧面经粗化处理，粗化处理后的衬底侧面为三角形、菱形、圆形或多边形；一成核层，其制作在侧面粗化的衬底上；一N型掺杂层，其制作在成核层上，该N型掺杂层有一台面；一多量子阱发光层，其制作在N型掺杂层台面的另一侧上，该多量子阱发光层为10个周期交替生长的氮化镓/铟镓氮；一P型掺杂层，其制作在多量子阱发光层上；一ITO层，其制作在P型掺杂层上；一P型金属电极，其制作在ITO层上；一N型金属电极，其制作在掺杂层的台面上。

专利地区：北京