发光二极管及其制造方法专利登记公告

专利名称：发光二极管及其制造方法

摘要：一种发光二极管及其制造方法。本发明提供一种半导体发光器件，包括：衬底；在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括：第一半导体层、在所述第一半导体层上的第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；和其中所述衬底具有至少一个具有预定倾角的侧表面。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210023075.2

专利申请（专利权）人：LG伊诺特有限公司

专利发明（设计）人：李尚烈

主权项：一种半导体发光器件，包括：衬底；在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括：第一半导体层、在所述第一半导体层上的第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的有源层；和其中所述衬底具有至少一个具有预定倾角的侧表面。

专利地区：韩国