半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其制造方法

摘要：本发明公开了一种采用后栅工艺制作的新型MOSFET器件及其实现方法，包括，衬底；栅极堆叠结构，位于沟道上；栅极堆叠结构左右消除了传统的隔离侧墙；外延生长的超薄金属硅化物，构成源漏区；其特征在于：外延生长的超薄金属硅化物源漏直接与栅极堆叠控制的沟道接触，从而消除了传统隔离侧墙下面的高阻区；源漏区与沟道区的界面处具有掺杂离子的分离凝结区，可降低在短沟道器件中金属硅化物源漏与沟道接触的肖特基势垒高度。同时，外延生长的金属硅化物可以经受为了提高高k栅介电材料性能进行的高温第二退火，进一步提升了器件的性能。依照本发

专利类型：发明专利

专利号：CN201110006429.8

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：罗军;赵超

主权项：一种采用后栅工艺制作半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成虚拟栅极结构；沉积覆盖所述衬底、所述虚拟栅极结构的金属层；执行第一退火，以使所述虚拟栅极结构两侧的金属层与所述衬底反应形成外延生长的金属硅化物；剥除未反应的所述金属层，则所述外延生长的金属硅化物形成所述器件的源漏区，位于所述虚拟栅极结构下方的所述衬底形成沟道区，所述源漏区与所述沟道区直接接触；向所述外延生长的金属硅化物源漏区内注入掺杂离子；去除所述虚拟栅极结构；沉积高k栅介电材料；执行第二退火，在所述外延生长的金属硅化物源漏区与所述沟道区的界面处

专利地区：北京