一种优化量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法专利登记公告
专利名称：一种优化量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法
摘要：本发明公开了一种优化AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法，该方法是通过器件模拟发现在材料生长过程中将GaN沟道层的厚度控制在15～22nm之间可以很好地改善器件性能，并且根据所得结果制作了AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件，进而为优化AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件提供了依据。本发明对于改善器件性能和优化器件设计都有着十分重要的意义。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210072930.9
专利申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所
专利发明（设计）人：胡伟达;王晓东;陈效双;陆卫
主权项：一种优化量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法，其特征在于包括以下步骤：1)首先构建AlN/GaN/AlN量子阱HEMT器件的结构模型，即在AlN单晶衬底上依次形成AlN缓冲层、GaN沟道层、AlN势垒层和Al2O3栅介质层，然后在AlN势垒层上形成源、漏电极，以及在Al2O3栅介质层上形成栅电极；2)制作三个实验测量样品，样品1：在500μm厚的AlN单晶衬底上生长1μm厚的AlN薄膜；样品2：在500μm厚的AlN单晶衬底上生长50nm厚的GaN薄膜；样品3：在500μm厚的AlN单晶衬底上依次生长1μm
专利地区：上海
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