一种闪存芯片的测试方法和闪存芯片专利登记公告

专利名称：一种闪存芯片的测试方法和闪存芯片

摘要：本发明提供了一种闪存芯片的测试方法，包括：外部测试机台对并行测试的待测芯片发出一个操作指令；待测芯片执行操作指令；待测芯片内部的状态机自动发送操作指令给待测芯片，完成待测芯片的测试。本发明的一种闪存芯片的测试方法，能够减少并行测试的时间。本发明还提供一种闪存芯片。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110006680.4

专利申请（专利权）人：北京兆易创新科技有限公司

专利发明（设计）人：苏志强;舒清明

主权项：一种闪存芯片的测试方法，其特征在于，包括以下步骤：外部测试机台对并行测试的待测芯片发出一个操作指令；待测芯片执行操作指令；待测芯片内部的状态机自动发送操作指令给待测芯片，完成待测芯片的测试。

专利地区：北京