磊晶基板、使用该磊晶基板之半导体发光元件及其制程专利登记公告

专利名称：磊晶基板、使用该磊晶基板之半导体发光元件及其制程

摘要：本发明提供一种磊晶基板、使用该磊晶基板之半导体发光元件及其制造方法。根据本发明之磊基板包含一晶体基板。特别地，该晶体基板的晶体表面其上具有多个散乱排列的纳米级柱体。该多个纳米级柱体系由不同于形成该基板之材料的氧化物所形成。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110007782.8

专利申请（专利权）人：昆山中辰矽晶有限公司

专利发明（设计）人：钱俊逸;简宏吉;杨昆霖;徐文庆

主权项：一种制造一磊晶基板之方法，包含下列步骤：制备一晶体基板，该晶体基板系由一第一材料所形成并且具有一晶体表面；于该晶体基板之该晶体表面上，沉积由一第二材料所形成之一多晶材料层，该第二材料不同于该第一材料；籍由一湿式蚀刻制程，蚀刻该多晶材料层之晶界进而获得该第二材料之多个纳米级柱体；进行一氧化程序，致使由该第二材料形成的多个纳米级柱体转变为由第二材料的氧化物形成的多个纳米级柱体，以获得该磊晶基板。

专利地区：江苏