一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构专利登记公告

专利名称：一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构

摘要：本发明涉及一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构，属于半导体器件领域。所述射频LDMOS晶体管结构包括背栅金属层、底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、正栅氧化层、正栅多晶硅层，侧墙区、源区、漏区、P阱区、N阱区、N漂移区、硅化物层、隔离氧化物区、部分隔离氧化物区和体接触区。本发明将LDMOS晶体管制作于SOI衬底之上，利用部分隔离氧化物区在硅化过程中掩蔽漂移区上的硅化物，并可形成类RESURF结构，可显著提高LDMOS击穿电压，降低器件关断时的漏电及开启时的导通电阻；同时利用部分隔离氧化物区和与N阱区同型的

专利类型：发明专利

专利号：CN201110007880.1

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：刘梦新;毕津顺;刘刚;罗家俊;韩郑生

主权项：一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构，包括背栅金属层、设置于所述背栅金属层的底层硅，设置于所述底层硅上的隐埋氧化层，设置于所述隐埋氧化层上的第一隔离氧化物区、顶层硅和第二隔离氧化物区，所述顶层硅位于所述第一隔离氧化物区和第二隔离氧化物区之间，其特征在于，所述顶层硅包括第一N阱区、P阱区和第二N阱区，所述第一N阱区位于所述第一隔离氧化物区和P阱区之间，所述P阱区位于所述第一N阱区和第二N阱区之间，所述第二N阱区位于所述P阱区和第二隔离氧化物区之间；所述第一N阱区为具有第一台面和第二台面的台面结构，所

专利地区：北京