射频横向扩散P型MOS管及其制造方法专利登记公告

专利名称：射频横向扩散P型MOS管及其制造方法

摘要：本发明实施例公开了一种射频横向扩散P型MOS管及其制造方法，所述射频横向扩散P型MOS管包括：衬底和外延层；所述外延层内形成有漂移区和分别与所述漂移区两侧连接的漏区和沟道；所述漂移区的表面外形成有覆盖所述漂移区的场氧化层；所述漂移区内的上部形成有沟槽隔离氧化层区，所述沟槽隔离氧化层区与所述场氧化层相连接。该射频横向扩散P型MOS管中通过在漂移区中设置的绝缘的沟槽隔离氧化层区，可以使漂移区的有效长度增加沟槽隔离氧化层区厚度的两倍左右，因此可以有效的提高射频横向扩散P型MOS管的击穿电压，使其具有较高的工作寿

专利类型：发明专利

专利号：CN201110007988.0

专利申请（专利权）人：苏州英诺迅科技有限公司

专利发明（设计）人：高怀;陈文兰;田婷;孙晓红;王晓彧

主权项：一种射频横向扩散P型MOS管，其特征在于，包括：衬底和外延层；所述外延层内形成有漂移区和分别与所述漂移区两侧连接的漏区和沟道；所述漂移区的表面形成有覆盖所述漂移区的场氧化层；所述漂移区内的上部形成有沟槽隔离氧化层区，所述沟槽隔离氧化层区与所述场氧化层相连接。

专利地区：江苏