半导体结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体结构及其制造方法

摘要：本申请公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：栅叠层，所述栅叠层形成于半导体衬底上；超陡后退岛，所述超陡后退岛嵌于所述半导体衬底中且与所述栅叠层自对准；补偿注入区，所述补偿注入区嵌于所述超陡后退岛中，所述补偿注入区的掺杂类型与所述超陡后退岛的掺杂类型相反。利于减少发生短沟道效应的可能性。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110008002.1

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：朱慧珑;吴彬能;肖卫平;吴昊;梁擎擎

主权项：一种半导体结构，包括：栅叠层，所述栅叠层形成于半导体衬底上；超陡后退岛，所述超陡后退岛嵌于所述半导体衬底中且与所述栅叠层自对准；补偿注入区，所述补偿注入区嵌于所述超陡后退岛中，所述补偿注入区的掺杂类型与所述超陡后退岛的掺杂类型相反。

专利地区：北京