绝缘基板、绝缘电路基板及其制造方法以及半导体装置专利登记公告

专利名称：绝缘基板、绝缘电路基板及其制造方法以及半导体装置

摘要：本发明提供一种放热特性优异、且冷热循环负载时能够抑制热应力作用于半导体元件的绝缘基板、使用该绝缘基板的绝缘电路基板和半导体装置、以及绝缘基板的制造方法和绝缘电路基板的制造方法。一种绝缘基板(10)，包括金属基复合材料构成的基板主体(11)、以及形成在该基板主体(11)的一面上的绝缘被膜(15)，其特征在于，基板主体(11)从室温至200℃的热膨胀系数设定为10×10-6/℃以下，热传导率设定为190W/(m·K)以上，抗弯强度设定为30MPa以上，绝缘被膜(15)通过使绝缘性材料构成的粉末碰撞到基板主体(

专利类型：发明专利

专利号：CN201110020029.2

专利申请（专利权）人：三菱综合材料株式会社

专利发明（设计）人：长濑敏之;长友义幸;黑光祥郎

主权项：一种绝缘基板，包括金属基复合材料构成的基板主体以及形成在该基板主体的一面上的绝缘被膜，该绝缘基板的特征在于，所述基板主体从室温至200℃的热膨胀系数设定为10×10?6/℃以下，热传导率设定为190W/(m·K)以上，抗弯强度设定为30MPa以上，所述绝缘被膜通过使绝缘性材料构成的粉末碰撞到所述基板主体的一面上而形成。

专利地区：日本