功率半导体封装结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：功率半导体封装结构及其制造方法

摘要：一种功率半导体封装结构，包括一承载件、一第一功率芯片、一第二功率芯片、一第一导电片、一第二导电片和一第三导电片。第一功率芯片具有一第一表面和一第二表面，一第一控制电极和一第一主功率电极设置于第一表面，一第二主功率电极设置于第二表面，且第二表面通过第二主功率电极与承载件电性连接。第二功率芯片具有一第三表面和一第四表面，一第三主功率电极设置于第三表面，一第四主功率电极设置于第四表面，且第四表面设置在第一功率芯片上。第一导电片电性连接第一主功率电极和第四主功率电极。第二导电片电性连接第三主功率电极。第三导电片电

专利类型：发明专利

专利号：CN201110020133.1

专利申请（专利权）人：台达电子工业股份有限公司

专利发明（设计）人：曾剑鸿;洪守玉

主权项：一种功率半导体封装结构，其特征在于，包括：一承载件；一第一功率芯片，具有一第一表面以及一相对的第二表面，一第一控制电极以及一第一主功率电极设置于所述第一表面，一第二主功率电极设置于所述第二表面，所述第二表面设置在所述承载件上，且通过所述第二主功率电极与所述承载件电性连接；一第二功率芯片，具有一第三表面以及一相对的第四表面，一第三主功率电极设置于所述第三表面，一第四主功率电极设置于所述第四表面，所述的第四表面设置在所述第一功率芯片上；一第一导电片电性连接所述第一主功率电极以及所述第四主功率电极；一第二导电片

专利地区：台湾