一种MOM电容及其制作方法专利登记公告

专利名称：一种MOM电容及其制作方法

摘要：本发明公开了一种MOM电容及其制作方法，属于电容的结构及其制作方法技术领域。主要包括以下几个步骤：一、氧化硅片；二、形成正面金属电极；三、在正面金属电极上粘贴蓝宝石基片；四、对硅片的背面进行光刻处理；五、腐蚀光刻掩膜以外的硅，然后去除掩膜；六、在硅片内形成MOM电容的背面金属电极；七、去除蓝宝石基片。通过使用上述方法，镀金层面积大幅度减少，整个MOM电容的用金量大为降低，大大减少了电容的制造成本，对金的使用量大大减少的同时造成对电镀液的维护频繁程度也相应降低，电镀工艺的耗时也大幅度缩短。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210059683.9

专利申请（专利权）人：中国电子科技集团公司第十三研究所

专利发明（设计）人：商庆杰;潘宏菽;张力江;付兴昌

主权项：一种MOM电容，包括正面金属电极（1）和二氧化硅介质层（2），其特征在于二氧化硅介质层（2）的背面设有两个硅支撑脚，在所述硅支撑脚之间设有背面金属电极（3），背面金属电极（3）的厚度小于硅支撑脚的高度。

专利地区：河北