多晶硅薄膜晶体管专利登记公告

专利名称：多晶硅薄膜晶体管

摘要：本发明提供一种晶体管，包括：多晶硅薄膜作为有源层制造P沟道的TFTs，结晶多晶硅薄膜有低的镍浓度，其特征在于，成核点(NS)以及补充点(SS)通过组合溶剂法提供，成核点和补充点重复性有规则分布，实现相同形状和大小的晶畴，通过获取不同形状的晶畴来适应性设计蜂窝结构和带状结构。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110020990.1

专利申请（专利权）人：广东中显科技有限公司

专利发明（设计）人：赵淑云;郭海成;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚

主权项：一种晶体管，包括：多晶硅薄膜作为有源层制造P沟道的TFTs，结晶多晶硅薄膜有低的镍浓度，其特征在于，成核点(NS)以及补充点(SS)通过结合溶剂法和预先定位，成核点和补充点重复性有规则分布，实现相同形状和大小的晶畴，通过获取不同形状的晶畴来适应性设计蜂窝结构和带状结构。

专利地区：广东