金属氧化物半导体结构及其制造方法专利登记公告

专利名称：金属氧化物半导体结构及其制造方法

摘要：本发明公开了一种金属氧化物半导体结构及其制造方法，该结构具有：一基板；一栅电极，沉积于该基板上方；一闸绝缘层，沉积于该栅电极及该基板上方；一IGZO层，沉积于该闸绝缘层上方，用以充作一通道；一源电极，沉积于该闸绝缘层上方且与该IGZO层的一侧相邻；一漏电极，沉积于该闸绝缘层上方且与该IGZO层的另一侧相邻；一第一钝化层，沉积于该源电极、该IGZO层、及该漏电极上方；一第二钝化层，沉积于该第一钝化层上方；以及一不透明树脂层，沉积于该源电极、该第二钝化层、及该漏电极上方。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110025571.7

专利申请（专利权）人：元太科技工业股份有限公司

专利发明（设计）人：林钦雯;黄全一;黄仲钦;辛哲宏

主权项：一种金属氧化物半导体结构，其特征在于具有：一基板；一栅电极，其沉积于该基板上方的一金属导体，用以与一栅极驱动信号耦接；一闸绝缘层，其沉积于该栅电极及该基板上方的一绝缘层；一IGZO层，其沉积于该闸绝缘层上方的一铟镓锡氧化物层，用以充作一通道；一源电极，其沉积于该IGZO层一侧的一金属导体，用以与一源极驱动信号耦接；一漏电极，其沉积于该IGZO层另一侧的一金属导体，用以与一画素电极耦接；一第一钝化层，其沉积于该源电极、该IGZO层、及该漏电极上方的一第一硅化合物层；一第二钝化层，其沉积于该第一钝化层上方的一

专利地区：台湾