非对称高压MOS器件的制造方法及结构专利登记公告

专利名称：非对称高压MOS器件的制造方法及结构

摘要：本发明公开了一种非对称高压MOS器件的制造方法，包括步骤：在版图设计过程中对源区和源端的浅沟槽隔离区域的尺寸进行调节，保持源区和源端的浅沟槽隔离区域的总的横向尺寸不变、减少所述源端的浅沟槽隔离区域的横向尺寸、增大所述源区的横向尺寸；在制造过程中采用调节尺寸后的源端的浅沟槽隔离区域版图形成器件源端的浅沟槽。本发明还公开了一种非对称高压MOS器件结构。本发明能在保持器件的总尺寸不变的条件下，降低源端的等效通路电阻、提升器件的驱动电流。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110021188.4

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：熊涛;罗啸;陈瑜;陈华伦

主权项：一种非对称高压MOS器件的制造方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一、在版图设计过程中，保持非对称高压MOS器件的总尺寸、及源端的漂移区和体区的版图尺寸不变，对源区和所述源端的浅沟槽隔离区域的尺寸进行调节，所述源区和所述源端的浅沟槽隔离区域形成横向接触，保持所述源区和所述源端的浅沟槽隔离区域的总的横向尺寸不变、减少所述源端的浅沟槽隔离区域的横向尺寸、增大所述源区的横向尺寸；步骤二、在制造过程中采用步骤一中所设计的所述源端的浅沟槽隔离区域版图形成非对称高压MOS器件的所述源端的浅沟槽。

专利地区：上海