双层栅沟槽MOS结构中形成底部氧化层的方法专利登记公告

专利名称：双层栅沟槽MOS结构中形成底部氧化层的方法

摘要：本发明的双层栅沟槽MOS结构中形成底部氧化层的方法，包括如下步骤：步骤一，沟槽形成后，先在沟槽内壁和衬底表面生长一层氧化层；步骤二，接着采用HDP工艺淀积氧化层，在所述沟槽内形成预定厚度的HDP氧化层；步骤三，而后去除位于所述沟槽侧壁的氧化层；步骤四，在沟槽侧壁形成氧化层，完成双层栅功率MOS结构中底部氧化层的制备。采用本发明的方法，形成底部氧化层较厚的结构，能有效降低器件源漏之间的电容。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110021566.9

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：李陆萍;丛茂杰;金勤海

主权项：一种双层栅沟槽MOS结构中形成底部氧化层的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，沟槽形成后，先在沟槽内壁和衬底表面生长一层氧化层；步骤二，接着采用HDP工艺淀积氧化层，在所述沟槽内形成预定厚度的HDP氧化层；步骤三，而后去除位于所述沟槽侧壁的氧化层；步骤四，在沟槽侧壁形成氧化层，完成双层栅功率MOS结构中底部氧化层的制备。

专利地区：上海