在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法专利登记公告
专利名称：在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法
摘要：本发明公开了一种在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法，为在超级结MOSFET中并联集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，肖特基二极管的阳极位于超级结MOSFET元胞区域的源端两个体区之间的漂移区上，肖特基二极管的阳极与超级结MOSFET的源端相连；阳极的漂移区上还设有多个掺杂区，掺杂区的导电类型与漂移区相反，杂质浓度大于漂移区的杂质浓度，掺杂区也与超级结MOSFET的源端相连；肖特基二极管的阴极共用位于衬底背面的所述超级结MOSFET的漏电极。本发明的方法，可降低肖特基二极管的反向漏电。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110021587.0
专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司
专利发明（设计）人：金勤海;王永成;陈正嵘
主权项：一种在超级结MOSFET中集成肖特基二极管的方法，其特征在于：在所述超级结MOSFET中并联集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管，所述肖特基二极管的阳极位于超级结MOSFET元胞区域的源端两个体区之间的漂移区上，所述肖特基二极管的阳极与所述超级结MOSFET的源端相连；所述阳极的漂移区上还设有多个掺杂区，所述掺杂区的导电类型与所述漂移区相反，杂质浓度大于所述漂移区的杂质浓度，所述掺杂区也与所述超级结MOSFET的源端相连；所述肖特基二极管的阴极共用位于衬底背面的所述超级结MOSFET的漏电极。
专利地区：上海
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目，不代表该专利由我公司代理取得，上述专利权利属于专利权人，未经（专利权人）许可，擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利，请搜索专利权人联系方式，获得专利权人的授权许可。