一种用于超级结的沟槽制造方法专利登记公告

专利名称：一种用于超级结的沟槽制造方法

摘要：本发明公开了一种用于超级结的沟槽制造方法，包括如下步骤：A.在硅基板上依次淀积底层氧化硅、中间氮化硅和顶层氮氧化硅；B.涂一层正性光刻胶并边缘去胶0-3mm；C.刻蚀距离周边0-3mm处顶层氮氧化硅，以光刻胶作为阻挡层；D.去除光刻胶；E.涂上一层负性光刻胶；F.上光刻机全面曝光并显影；G.涂上一层正性光刻胶；H.光刻形成沟槽并显影；I.刻蚀底层氧化硅、中间氮化硅、顶层氮氧化硅，以光刻胶作为阻挡层；J.去除光刻胶；K.在硅基板上刻蚀出一个2-80微米的沟槽，以底层氧化硅作为阻挡层。该方法能避免刻蚀的硅尖刺

专利类型：发明专利

专利号：CN201110021423.8

专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司

专利发明（设计）人：孟鸿林;王雷;郭晓波

主权项：一种用于超级结的沟槽制造方法，其特征在于，包括如下步骤：A.在硅基板上依次淀积底层氧化硅、中间氮化硅和顶层氮氧化硅；B.涂一层正性光刻胶并边缘去胶0?3mm；C.刻蚀距离周边0?3mm处顶层氮氧化硅，以光刻胶作为阻挡层；D.去除光刻胶；E.涂上一层负性光刻胶；F.上光刻机全面曝光并显影；G.涂上一层正性光刻胶；H.光刻形成沟槽并显影；I.刻蚀底层氧化硅、中间氮化硅、顶层氮氧化硅，以光刻胶作为阻挡层；J.去除光刻胶；K.在硅基板上刻蚀出一个2?80微米的沟槽，以底层氧化硅作为阻挡层。

专利地区：上海