半导体发光芯片及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体发光芯片及其制造方法

摘要：本发明提供一种半导体发光芯片，其包括基板及设置在该基板上的发光结构层，该发光结构层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，基板与发光结构层之间还具有缓冲层及包覆层，该缓冲层包括沿该基板延伸方向生长的氮化物纳米结构，所述包覆层由氮化物纳米结构的顶面生长而成。本发明还提供一种制造该半导体发光芯片的方法。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110022780.6

专利申请（专利权）人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司

专利发明（设计）人：曾坚信

主权项：一种半导体发光芯片，其包括基板及设置在该基板上的发光结构层，该发光结构层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，其特征在于：基板与发光结构层之间还具有缓冲层及包覆层，该缓冲层包括沿该基板延伸方向生长的氮化物纳米结构，所述包覆层由氮化物纳米结构的顶面生长而成。

专利地区：广东