大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法专利登记公告

专利名称：大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法

摘要：一种大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上生长中间层；步骤4：在中间层上生长纳米图形层；步骤5：采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀中间层，刻蚀深度到达n-GaN层的表面；步骤6：采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀n-GaN层，刻蚀深度小于n-GaN层的厚度，完成图形衬底的制备。其可实现低成本，可工业化生产纳米图形衬底，进而提高氮化镓材料的材料质量。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210093603.1

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：孙波;赵丽霞;伊晓燕;刘志强;魏学成;王国宏

主权项：一种大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层和n?GaN层；步骤3：在n?GaN层上生长中间层；步骤4：在中间层上生长纳米图形层；步骤5：采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀中间层，刻蚀深度到达n?GaN层的表面；步骤6：采用等离子体刻蚀的方法，刻蚀n?GaN层，刻蚀深度小于n?GaN层的厚度，完成图形衬底的制备。

专利地区：北京