纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法专利登记公告
专利名称：纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法
摘要：一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层；步骤3：在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板；步骤4：在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层；步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；步骤6：在InGaN量子盘上生长p-GaN层，形成基片；步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n-GaN层内，形成台面；步骤8：在n-GaN层的台面上制作下电极；步骤9：在p-GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。
专利类型：发明专利
专利号：CN201210093601.2
专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所
专利发明（设计）人：孙波;赵丽霞;伊晓燕;刘志强;魏学成;王国宏
主权项：一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法，包括以下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n?GaN层；步骤3：在n?GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板；步骤4：在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层；步骤5：在GaN过渡层上生长InGaN量子盘；步骤6：在InGaN量子盘上生长p?GaN层，形成基片；步骤7：将基片一侧的部分刻蚀掉，刻蚀深度到达n?GaN层内，形成台面；步骤8：在n?GaN层的台面上制作下电极；步骤9：在p?GaN层上制作上电极，完成发光二极管的制作。
专利地区：北京
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