同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法专利登记公告

专利名称：同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法

摘要：本发明公开了一种在高温湿法氧化时同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高AlxGa(1-x)As氧化层热稳定性的方法。该方法是通过在GaAs层上采用等离子体化学气相淀积法生长一定厚度的SiO2薄膜而实现的。利用本发明，既能提高AlxGa(1-x)As氧化层的热稳定性，减少后续高温退火过程对器件表面的损伤，同时减少了工艺步骤，使器件的制备成本下降；又能阻止GaAs盖层的氧化，使量子点的发光性质基本不受影响。这些优点为高性能光电子器件的制备提供了基础。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210083214.0

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：周文飞;徐波;叶小玲;张世著;王占国

主权项：一种同步实现阻止GaAs盖层氧化和提高氧化层热稳定性的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在GaAs衬底上外延生长厚度为100～500nm的GaAs缓冲层；步骤2、在GaAs缓冲层上外延生长一定厚度的AlxGa(1?x)As牺牲层，其中0.8≤x≤1；步骤3、在AlxGa(1?x)As牺牲层上外延生长厚度为50～150nm的第一GaAs层；步骤4、在第一GaAs层上外延生长InAs量子点；步骤5、在InAs量子点上外延生长厚度为50～150nm的第二GaAs层，将InAs量子点埋住；步骤6、在第二Ga

专利地区：北京