一种MOCVD生长氮化物发光二极管的方法专利登记公告

专利名称：一种MOCVD生长氮化物发光二极管的方法

摘要：本发明涉及一种MOCVD生长氮化物发光二极管的方法。包括：选择一衬底；在该衬底上生长一氮化镓成核层；在该氮化镓成核层上生长非故意掺杂氮化镓层，厚度为2-4um；在该非故意掺杂氮化镓层生长一N型氮化镓层1，厚度为0.5-1.5um；在该N型氮化镓层1上生长一用来增强电流扩展的电流扩展层；在该电流扩展层上生长一N型氮化镓层2，厚度1-2um；在该电流扩展层上依次生长有源层、P型氮化镓，得到完整LED外延结构。本发明提供的一种MOCVD生长氮化物发光二极管的方法，可以有效的改善发光二极管的电流扩展情况，提高的最

专利类型：发明专利

专利号：CN201210060349.5

专利申请（专利权）人：张小光;张小亮

专利发明（设计）人：张小光;张小亮

主权项：一种MOCVD生长氮化物发光二极管的方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：步骤一，采用MOCVD技术，利用高纯NH3做为N源，高纯N2或H2做载气，三甲基镓(TMGa)或三乙基镓(TEGa)、三甲基铟(TMIn)和三甲基铝(TMAl)分别做为镓源、铟源和铝源；硅烷(SiH4)为N型掺杂剂，二茂镁(CP2Mg)为P型掺杂物。在MOCVD反应室里把图形衬底进行热处理后，降温到510?570℃生长一层氮化物成核层。步骤二，退火，实现成核层再结晶。步骤三，调整温度1030?1100℃，压力150?500mbar，

专利地区：江西