裸晶圆灌孔封装技术专利登记公告

专利名称：裸晶圆灌孔封装技术

摘要：裸晶圆灌孔封装技术，它涉及一种晶圆封装技术。它的工艺流程为：(1)依据接点设计的需要，裸晶圆上的接点默认位置先以TSV和RDL程序做出灌孔，而灌孔中镀上导电金属，进行CMP整平裸晶圆表面；(2)裸晶圆上进行晶圆成型的制程，并将对外的接点回路与TSV做出灌孔连接；(3)晶圆成型的制程后将对外接点亦生成于金属层上，在金属层表面镀上一层钝化层；(4)直接殖锡球或直接做MetalBumping，再将晶圆切割成晶粒。它可以完全减少基板、打线材和灌胶的成本，可以进行内存高密度封装，完全没有上限，完全突破封装空间的极限

专利类型：发明专利

专利号：CN201110022798.6

专利申请（专利权）人：涂嘉晋;李应煌

专利发明（设计）人：涂嘉晋;李应煌

主权项：裸晶圆灌孔封装技术，其特征在于它的工艺流程为：(1)依据接点设计的需要，裸晶圆上的接点默认位置先以TSV和RDL程序做出灌孔，而灌孔中镀上导电金属，进行CMP整平裸晶圆表面；(2)裸晶圆上进行晶圆成型的制程，并将对外的接点回路与TSV做出灌孔连接；(3)晶圆成型的制程后将对外接点亦生成于金属层上，在金属层表面镀上一层钝化层；(4)直接殖锡球或直接做Metal?Bumping，再将晶圆切割成晶粒。

专利地区：台湾