纳米药物自组装双稳态量子线阵列及其制备方法专利登记公告

专利名称：纳米药物自组装双稳态量子线阵列及其制备方法

摘要：本发明涉及量子信息先进材料领域，具体涉及一种纳米药物自组装双稳态量子线阵列及其制备方法。本发明以非弹性电子隧穿相互作用自组装抗氧化酶类氧自由基拮抗剂，β-受体激动剂，P2受体激动剂，苯烷胺类钙拮抗剂和/或嘌呤类核酸单体及其二元，三元，四元和五元复合物。本发明量子线阵列具有规则几何构型，尺度可控可调，非弹性电子隧穿、量子比特电学特性和近藤效应。本发明不仅有益于靶向疾病机制的创新药物研究，而且有益于量子生物信息传感新材料和纳米结构磁存储器(MRAM)的研究。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110023002.9

专利申请（专利权）人：复旦大学附属中山医院

专利发明（设计）人：方琰;吴荣

主权项：纳米药物自组装双稳态量子线阵列，其特征在于纳米药物双稳态量子线阵列组份由嘌呤类核酸(黄嘌呤)与苯烷胺类钙拮抗剂(异博啶)、β?受体激动剂(异丙肾上腺素)、抗氧化酶类氧自由基拮抗剂(超氧化物歧化酶)或/和P2受体激动剂(三磷酸腺苷)按非弹性电子隧穿相互作用和一定的配比自组装成单体、二元体、三元体、四元体和五元体复合物，制成有量子比特、近藤效应的双稳态量子线阵列；所述单体、二元体、三元体、四元体和五元体纳米药物复合物采用L16(2)15和L9(3)4正交优选设计和?4度低温自组装在P?型或N?型硅片衬底上，所述单体、二元体、三元体、四元体和五元体纳米药物复合物的表面拓扑结构几何构型高度及所述表面拓扑结构相对应的电压?电流曲线、近藤效应电导、频率?相位?能量谱和时间?相位?能量谱、电子自旋、量子比特通过PCI扫描探针显微术以及ORINGIN工作的相互作用获得；所述的单体、二元体、三元体、四元体和五元体纳米药物复合物表面拓扑结构图所示的几何构型高度分别为3nm、3.5nm、4.0nm、4.5nm、6nm、8nm、10nm、16nm或50nm，所述的单体、二元体、三元体、四元体和五元体纳米药物复合物有双稳态电学特性、±1/4πN、±1/2πN、±πN、±11/2πN或±2πN电子自旋、量子比特、量子化近藤效应；所述的双稳态电学特性是±2伏、±6伏、±7伏、±8伏、±9伏处出现高低两水平稳定电流/电压：+3.568皮安、?22.19皮安；±34.581皮安；+5.478皮安、?25.614皮安；+21.576皮安、?31.509皮安；+20.723皮安、?27.549皮安；+2.01皮安、?32.834皮安；+1.021皮安、?23.998皮安；+20.71皮安、?27.053皮安；+0.813皮安、?19.959皮安；所述的量子比特性能由电流?电压曲线及其一阶导数、电子自旋、时间?相位?能量谱和频率?相位?能量谱来表达；所述的电子自旋从频率?相位?能量谱和时间?相位?能量谱中获得；所述的±1/4πN、±1/2πN、±πN、±1/2πN或±2πN电子自旋产生量子比特；所述的单体、二元体、三元体、四元体和五元体纳米药物复合物是黄嘌呤为基的。

专利地区：上海