用于生长外延结构的掩模及其使用方法专利登记公告

专利名称：用于生长外延结构的掩模及其使用方法

摘要：本发明涉及一种用于生长外延结构的掩模及其使用方法。该掩模包括：一碳纳米管层，且该碳纳米管层具有多个开口，从而使得基底的外延生长面可以通过该多个开口部分暴露，通过该掩模使外延层从所述基底的外延生长面通过该开口暴露的部分生长。该掩模的使用方法包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一支持外延层生长的外延生长面；在所述基底的外延生长面设置一掩模，该掩模包括：一碳纳米管层，且该碳纳米管层包括多个开口，从而使得基底的外延生长面通过该多个开口部分暴露；以及在所述基底的外延生长面生长外延层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110025710.6

专利申请（专利权）人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司

专利发明（设计）人：魏洋;冯辰;范守善

主权项：一种用于生长外延结构的掩模，该掩模包括：一碳纳米管层，且该碳纳米管层具有多个开口，使得基底的外延生长面通过该多个开口部分暴露，通过该掩模使外延层从所述基底的外延生长面通过该开口暴露的部分生长。

专利地区：北京