一种单晶随炉等温退火方法及工装专利登记公告

专利名称：一种单晶随炉等温退火方法及工装

摘要：一种单晶随炉等温退火方法及工装，属于单晶制备技术领域，特别是涉及一种物理气相传输法单晶生长结束后的退火方法及工装。在物理气相传输法单晶生长结束之后,将坩埚顶部的散热通道上加盖保温塞，同时降低加热功率约10-70%，然后保温1-48小时；最后采用等温随炉退火方法降到室温，即得到热应力小的单晶。此单晶随炉等温退火工装包括坩埚，所述坩埚顶部设散热通道，在所述散热通道上方设置一保温塞，所述保温塞或坩埚可上下移动。与带着温度梯度降温、另行退火的现有技术相比，本发明不但可以大大减少单晶热应力、降低单晶出现裂纹的风险，

专利类型：发明专利

专利号：CN201210094284.6

专利申请（专利权）人：北京华进创威电子有限公司

专利发明（设计）人：倪代秦;吴星;赵岩;何丽娟;王雷;杨巍;马晓亮;李晋

主权项：一种单晶随炉等温退火方法，其特征在于：在物理气相传输法单晶生长结束之后,将坩埚顶部的散热通道上加盖保温塞，同时降低加热功率10?70%，然后保温1?48小时；最后采用等温随炉退火方法降到室温，即得到热应力小的单晶。

专利地区：北京