变形的铟镓铝氮基半导体发光器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：变形的铟镓铝氮基半导体发光器件及其制造方法

摘要：本发明公开了一种变形的铟镓铝氮基半导体发光器件及其制造方法，涉及铟镓铝氮基半导体发光器件，其通过改善电子分布使器件的光电性能和可靠性获得提高。本发明提出变形的铟镓铝氮基半导体发光器件包括支撑衬底，以及支撑衬底上的多层半导体结构，所述多层半导体结构呈弧形曲面。本发明提出方法包括：在铟镓铝氮薄膜上制作紫外固化胶层；在紫外固化胶层上制作透紫外光支撑基板；用紫外光照射，使紫外固化胶固化，紫外固化胶固化收缩使铟镓铝氮薄膜呈现弯曲形状。增大了欧姆接触层与发光层的有效接触面积，使得发光效率得以提高。从而使器件的光电性能

专利类型：发明专利

专利号：CN201110026135.1

专利申请（专利权）人：晶能光电(江西)有限公司

专利发明（设计）人：熊传兵;赵汉民;江风益

主权项：一种变形的铟镓铝氮基半导体发光器件，包括支撑衬底，以及支撑衬底上的多层半导体结构，其特征在于：所述多层半导体结构呈弧形曲面。

专利地区：江西