一种基于CdZnO薄膜的电致发光器件及制备方法专利登记公告

专利名称：一种基于CdZnO薄膜的电致发光器件及制备方法

摘要：本发明公开了一种基于CdZnO薄膜的电致发光器件及制备方法，该电致发光器件包括P型硅衬底，所述的P型硅衬底正面自下而上依次沉积有绝缘层、发光层和电极层，P型硅衬底背面沉积有欧姆接触电极；所述的发光层为CdZnO薄膜。本发明采用P型硅片为衬底，以CdZnO薄膜为主要发光材料，结合绝缘层、电极层等，通过合适的工艺制备获得了CdZnO/绝缘层/p+-Si结构的电致发光器件。本发明方法工艺简单，制备周期短，对设备要求不高，与现行成熟的硅器件工艺兼容；所制得的电致发光器件结构简单，开启电压低，在一定的正向偏压下能够

专利类型：发明专利

专利号：CN201210094513.4

专利申请（专利权）人：浙江大学

专利发明（设计）人：马向阳;田野;杨德仁

主权项：一种基于CdZnO薄膜的电致发光器件，包括P型硅衬底，其特征在于，所述的P型硅衬底正面自下而上依次沉积有绝缘层、发光层和电极层，P型硅衬底背面沉积有欧姆接触电极；所述的发光层为CdZnO薄膜。

专利地区：浙江