一种半导体量子点发光二极管及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种半导体量子点发光二极管及其制备方法

摘要：本发明公开了属于量子点发光二极管技术领域的一种价格低廉，可溶液加工的阳极修饰层及用该修饰层制备量子点发光二极管的方法。该半导体量子点发光二极管包括依次层叠的衬底、高功函阳极层、阳极修饰层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层(可以没有)和低功函阴极层，其中，所述阳极修饰层为二(乙酰丙酮)氧化钼通过在空气中加热转变而成的氧化钼薄膜。以氧化钼为阳极修饰材料，将其引入量子点发光二极管中，实现了空穴的高效传输；并且与现有的PEDOT:PSS相比，本发明还具有修饰层不腐蚀阳极、发光效率高、工艺简单，成本低廉，实验重

专利类型：发明专利

专利号：CN201210089138.4

专利申请（专利权）人：华北电力大学

专利发明（设计）人：谭占鳌;李舒生;何少剑;林俊

主权项：一种半导体量子点发光二极管，其特征在于：该半导体量子点发光二极管包括依次层叠的衬底、高功函阳极层、阳极修饰层、空穴传输层、量子点发光层和低功函阴极层，或者该半导体量子点发光二极管包括依次层叠的衬底、高功函阳极层、阳极修饰层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和低功函阴极层，其中，所述阳极修饰层为氧化钼膜。

专利地区：北京