连续式半导体蚀刻设备及蚀刻方法专利登记公告

专利名称：连续式半导体蚀刻设备及蚀刻方法

摘要：一种连续式半导体蚀刻设备及蚀刻方法，包括有第一制程槽、第一传输装置、第二制程槽及第二传输装置。第一制程槽及第二制程槽分别填注有蚀刻液，再藉由第一传输装置将硅晶圆传送通过第一制程槽，并使硅晶圆没入至第一制程槽中的蚀刻液，以进行蚀刻处理，之后再透过第二传输装置将经第一制程槽处理后的硅晶圆传送通过第二制程槽，并令硅晶圆底面接触第二制程槽的蚀刻液，藉此达到硅晶圆连续蚀刻的目的。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110027229.0

专利申请（专利权）人：均豪精密工业股份有限公司

专利发明（设计）人：张书省;蔡嘉雄;茹振宗;刘仕伟

主权项：一种连续式半导体蚀刻设备，其特征在于：一第一制程槽(10)，所述第一制程槽(10)包含：至少一注液管(101)、至少一第一泄流孔(102)及第一节流闸(103)，所述各注液管(101)用以填注蚀刻液至所述第一制程槽(10)，且所述第一节流闸(103)对应所述各第一泄流孔(102)设置；一第一传输装置(11)，其包括有多个第一滚轮(111)，所述各第一滚轮(111)架设于所述第一制程槽(10)，而可传送至少一硅晶圆(100)通过所述第一制程槽(10)，并使所述硅晶圆(100)接触所述第一制程槽(10)中的蚀

专利地区：台湾