发光二极管的制法专利登记公告

专利名称：发光二极管的制法

摘要：本发明是关于一种发光二极管的制法，包含：前段制程、制作电极，制作电极后形成半成品、化学成膜步骤以及切割步骤，该化学成膜步骤包括：提供一溶液，该溶液为一碱性且含氧量高的溶液；以及，浸泡，将所述半成品浸泡于该溶液中，使半成品本身与溶液产生反应，而于该半成品的预定处形成一层铝镓砷氧化层。由此，乃能提高发光二极管在高湿度下的寿命。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110030383.3

专利申请（专利权）人：鼎元光电科技股份有限公司

专利发明（设计）人：龚正;陈怡宏;刘建政

主权项：一种发光二极管的制法，包含前段制程、制作电极以及切割步骤，且制作电极后形成半成品，其特征在于：在该制作电极步骤与切割步骤之间进一步包含一化学成膜步骤，该化学成膜步骤包括：提供一溶液，该溶液为碱性且含氧量高；以及浸泡，将所述半成品浸泡于该溶液中，使半成品本身与溶液产生反应，而于该半成品的预定处形成一层氧化层。

专利地区：台湾